Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Реферативна база даних (9)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Sheremet V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9 Представлено документи з 1 до 9
1.	Boltovets M. S. Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity [Електронний ресурс] / M. S. Boltovets, V. M. Ivanov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, V. V. Shynkarenko, V. M. Sheremet, Yu. N. Sveshnikov, B. S. Yavich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 4. - С. 337-342. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_4_3 We propose multilayer ohmic contacts to n- and p-GaN layers, with titanium boride as diffusion barrier. It is shown that the optimal method of contact resistivity measurement is the transmission line method (TLM) with circular contact geometry. The Ti - Al - TiBx - Au contact metallization to n-GaN retains its layer structure after thermal annealing at temperatures up to 900 <$E symbol Р>C. The contact resistivity <$E rho sub c> is <$E ( 6,69~symbol С~1,67 )~times~10 sup -5~OMEGA~cdot~roman cm sup 2>. For the Au - TiBx - Ni - p-GaN contact structure, the contact resistivity is <$E (1~symbol С~0,15)~cdot~10 sup -3~OMEGA~cdot~roman cm sup 2>. Попередній перегляд: Завантажити - 261.658 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
2.	Belyaev A. E. Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts [Електронний ресурс] / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Sachenko, V. N. Sheremet // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 4. - С. 436-438. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_4_24 We investigated temperature dependence of contact resistance of an Au - Ti - Pd2Si ohmic contact to heavily doped <$E n sup + - roman Si>. The contact resistance increases with temperature owing to conduction through the metal shunts. In this case, the limiting process is diffusion input of electrons to the metal shunts. The proposed mechanism of contact resistance formation seems to realize also in the case of wide-gap semiconductors with high concentration of surface states and dislocation density in the contact. Попередній перегляд: Завантажити - 143.056 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
3.	Belyaev A. E. Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes [Електронний ресурс] / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. M. Sorokin, V. N. Sheremet, V. V. Shynkarenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 465-469. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_19 Some aspects of measuring the thermal resistance to a constant heat flow at a p-n junction - package region in IMPATT and light-emitting diodes are considered. We propose a method of studying the thermal resistance of high-power light-emitting diodes. This method makes it possible to increase accuracy of measuring the thermal resistance by determining the temperature at a linear section of the voltage - temperature curve. A possibility to measure the thermal resistance of IMPATT diodes by using the pulse I-V curves is shown. This enables one to simplify calculations and increase accuracy of measuring the thermal resistance. Попередній перегляд: Завантажити - 380.441 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
4.	Sachenko A. V. Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density [Електронний ресурс] / A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, Yu. V. Zhilyaev, L. M. Kapitanchuk, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, A. V. Naumov, V. V. Panteleev, V. N. Sheremet // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 351-357. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_11 We studied temperature dependences of the resistivity, <$E rho sub c (T)>, of Pd-Ti-Pd-Au ohmic contacts to wide-gap semiconductors n-GaN and n-AlN with a high dislocation density. Both <$E rho sub c (T)> curves have portions of exponential decrease, as well as those with very slight <$E rho sub c (T)> dependence at higher temperatures. Besides, the Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN contacts have a portion of <$E rho sub c (T)> flattening out in the low-temperature region. This portion appears only after rapid thermal annealing (RTA). In principle, its appearance may be caused by preliminary heavy doping of the near-contact region with a shallow donor impurity as well as doping in the course of contact formation owing to RTA, if the contact-forming layer involves a material atoms of which serve as shallow donors in III - N compounds. The obtained <$E rho sub c (T)> dependences cannot be explained by the existing mechanisms of current transfer. We propose other mechanisms explaining the experimental <$E rho sub c (T)> curves for ohmic contacts to n-GaN and n-AlN. Попередній перегляд: Завантажити - 2.659 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Sheremet V. N. Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN [Електронний ресурс] / V. N. Sheremet // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 3. - С. 280-284. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_3_10 Попередній перегляд: Завантажити - 1.442 Mb Зміст випуску Цитування
6.	Belyaev A. E. Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN [Електронний ресурс] / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, Yu. V. Zhilyaev, V. S. Zhigunov, R. V. Konakova, V. N. Panteleev, A. V. Sachenko, V. N. Sheremet // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 3. - С. 289-292. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_3_12 Попередній перегляд: Завантажити - 1.328 Mb Зміст випуску Цитування
7.	Sachenko A. V. Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts [Електронний ресурс] / A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, L. M. Kapitanchuk, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, A. V. Kuchuk, T. V. Korostinskaya, A. S. Pilipchuk, V. N. Sheremet, Yu. I. Mazur, M. E. Ware, G. J. Salamo // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 4. - С. 313-321. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_4_3 We present the results of structural and morphological investigations of interactions between phases in the layers of Au-Pd-Ti-Pd-n<^>+-GaN contact metallization that appear at rapid thermal annealing (RTA). It is shown that formation of ohmic contact occurs in the course of RTA at <$E T~=~900~symbol Р roman C> due to formation of titanium nitride. We studied experimentally and explained theoretically the temperature dependence of contact resistivity <$E rho sub c (T)> of ohmic contacts in the 4,2 - 380 K temperature range. The <$E rho sub c (T)> curve was shown to flatten out in the 4,2 - 50 K range. As temperature grew, <$E rho sub c> decreased exponentially. The results obtained enabled us to conclude that current flow has field nature at saturation of <$E rho sub c (T)> and the thermofield nature in the exponential part of <$E rho sub c (T)> curve. Попередній перегляд: Завантажити - 900.744 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
8.	Sachenko A. V. On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step [Електронний ресурс] / A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, A. O. Vinogradov, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, V. M. Anischik, R. V. Konakova, T. V. Korostinskaya, V. P. Kostylyov, Ya. Ya. Kudryk, V. G. Lyapin, P. N. Romanets, V. N. Sheremet // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 1. - С. 1-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_1_3 We present both theoretical and experimental temperature dependences of contact resistivity <$E rho sub c (T)> for ohmic contacts to the silicon <$E n sup + -n>-structures whose <$E n sup +>-layer was formed using phosphorus diffusion or ion implantation. The <$E rho sub c (T)> dependence was measured in the 125 - 375 K temperature range with the transmission line method, with allowance made for conduction in both the <$E n sup +>-layer and <$E n sup + -n> doping step. Попередній перегляд: Завантажити - 668.622 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
9.	Sheremet V. N. Metrological aspects of studying the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method [Електронний ресурс] / V. N. Sheremet // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 4. - С. 394-397. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_4_17 Попередній перегляд: Завантажити - 1.921 Mb Зміст випуску Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського